WSD30300DN56G N-channel 30V 300A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
Overview sa produkto sa WINSOK MOSFET
Ang boltahe sa WSD20100DN56 MOSFET mao ang 20V, ang kasamtangan mao ang 90A, ang resistensya mao ang 1.6mΩ, ang channel mao ang N-channel, ug ang package mao ang DFN5X6-8.
Mga lugar nga aplikasyon sa WINSOK MOSFET
Mga elektronikong sigarilyo MOSFET, mga drone MOSFET, mga gamit sa kuryente MOSFET, fascia guns MOSFET, PD MOSFET, gagmay nga mga gamit sa balay MOSFET.
Ang WINSOK MOSFET katumbas sa ubang mga numero sa materyal nga brand
AOS MOSFET AON6572.
POTENS Semiconductor MOSFET PDC394X.
Mga parameter sa MOSFET
| Simbolo | Parameter | Rating | Mga yunit |
| VDS | Drain-Source Boltahe | 20 | V |
| VGS | Gate-Source Boltahe | ± 12 | V |
| ID@TC=25 ℃ | Padayon nga Pag-agos sa Agos1 | 90 | A |
| ID@TC=100 ℃ | Padayon nga Pag-agos sa Agos1 | 48 | A |
| IDM | Pulsed Drain Current2 | 270 | A |
| EAS | Usa ka Pulse Avalanche Energy3 | 80 | mJ |
| IAS | Avalanche Current | 40 | A |
| PD@TC=25 ℃ | Kinatibuk-ang Pagkawala sa Gahum4 | 83 | W |
| TSTG | Sakup sa Temperatura sa Pagtipig | -55 ngadto sa 150 | ℃ |
| TJ | Sakup sa Temperatura sa Operating Junction | -55 ngadto sa 150 | ℃ |
| RθJA | Thermal Resistance Junction-ambient1(t≦10S) | 20 | ℃/W |
| RθJA | Thermal Resistance Junction-ambient1(Steady State) | 55 | ℃/W |
| RθJC | Thermal Resistance Junction-kaso1 | 1.5 | ℃/W |
| Simbolo | Parameter | Mga kahimtang | Min | Typ | Max | Unit |
| BVDSS | Drain-Source Breakdown Voltage | VGS=0V , ID=250uA | 20 | 23 | --- | V |
| VGS(th) | Gate Threshold Boltahe | VGS=VDS , ID =250uA | 0.5 | 0.68 | 1.0 | V |
| RDS(ON) | Static Drain-Source On-Resistance2 | VGS=10V , ID=20A | --- | 1.6 | 2.0 | mΩ |
| RDS(ON) | Static Drain-Source On-Resistance2 | VGS=4.5V , ID=20A | 1.9 | 2.5 | mΩ | |
| RDS(ON) | Static Drain-Source On-Resistance2 | VGS=2.5V , ID=20A | --- | 2.8 | 3.8 | mΩ |
| IDSS | Drain-Source Leakage Current | VDS=16V , VGS=0V , TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=16V , VGS=0V , TJ=125℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Gate-Source Leakage Current | VGS=±10V , VDS=0V | --- | --- | ± 10 | uA |
| Rg | Pagsukol sa Ganghaan | VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz | --- | 1.2 | --- | Ω |
| Qg | Kinatibuk-ang Gate Charge (10V) | VDS=15V , VGS=10V , ID=20A | --- | 77 | --- | nC |
| Qgs | Gate-Source Charge | --- | 8.7 | --- | ||
| Qgd | Gate-Drain Charge | --- | 14 | --- | ||
| Td(on) | I-on ang Oras sa Paglangan | VDD=15V , VGS=10V , RG=3 , ID=20A | --- | 10.2 | --- | ns |
| Tr | Panahon sa Pagbangon | --- | 11.7 | --- | ||
| Td(wala) | I-off ang Oras sa Paglangan | --- | 56.4 | --- | ||
| Tf | Panahon sa Pagkapukan | --- | 16.2 | --- | ||
| Ciss | Kapasidad sa Input | VDS=10V , VGS=0V , f=1MHz | --- | 4307 | --- | pF |
| Coss | Kapasidad sa Output | --- | 501 | --- | ||
| Crss | Reverse Transfer Capacitance | --- | 321 | --- | ||
| IS | Padayon nga Source Current1,5 | VG=VD=0V , Force Current | --- | --- | 50 | A |
| VSD | Diode Forward Voltage2 | VGS=0V , IS=1A , TJ=25℃ | --- | --- | 1.2 | V |
| trr | Balikbalik nga Panahon sa Pagbawi | KON=20A , di/dt=100A/µs , TJ=25℃ | --- | 22 | --- | nS |
| Qrr | Balikbalik nga Bayad sa Pagbawi | --- | 72 | --- | nC |
