WSD3023DN56 N-Ch ug P-Channel 30V/-30V 14A/-12A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

mubo nga paghulagway:

Numero sa Modelo:WSD3023DN56

BVDSS:30V/-30V

RDSON:14mΩ/23mΩ

ID:14A/-12A

Channel:N-Ch ug P-Channel

Pakete:DFN5*6-8

Ting-init sa Produkto:Ang boltahe sa WSD3023DN56 MOSFET mao ang 30V / -30V, ang kasamtangan nga 14A / -12A, ang resistensya mao ang 14mΩ / 23mΩ, ang channel mao ang N-Ch ug P-Channel, ug ang package mao ang DFN5 * 6-8.

Aplikasyon:Mga drone, motor, automotive electronics, mayor nga appliances.

Ipadala ang email kanamo PDF

Detalye sa Produkto

Aplikasyon

Mga Tag sa Produkto

Kinatibuk-ang Deskripsyon

Ang WSD3023DN56 mao ang pinakataas nga performance trench N-ch ug P-ch MOSFETs nga adunay grabe nga taas nga densidad sa cell, nga naghatag og maayo kaayo nga RDSON ug gate charge alang sa kadaghanan sa mga synchronous buck converter applications.Ang WSD3023DN56 nakab-ot ang RoHS ug Green Product nga kinahanglanon nga 100% EAS nga gigarantiyahan nga adunay bug-os nga kasaligan nga pag-andar nga gi-aprubahan.

Mga bahin

Advanced nga high cell density Trench technology, Super Low Gate Charge, Maayo kaayo nga CdV/dt effect nga pagkunhod, 100% EAS Guaranteed, Green Device Anaa.

Mga aplikasyon

High Frequency Point-of-Load Synchronous Buck Converter para sa MB/NB/UMPC/VGA, Networking DC-DC Power System, CCFL Back-light Inverter, Drones, motors, automotive electronics, major appliances.

katugbang nga materyal nga numero

PANJIT PJQ5606

Importante nga mga parameter

Simbolo	Parameter	Rating		Mga yunit
Simbolo	Parameter	N-Ch	P-Ch	Mga yunit
VDS	Drain-Source Boltahe	30	-30	V
VGS	Gate-Source Boltahe	±20	±20	V
ID	Padayon nga Drain Current, VGS(NP)=10V,Ta=25℃	14*	-12	A
ID	Padayon nga Drain Current, VGS(NP)=10V,Ta=70℃	7.6	-9.7	A
IDP a	Gisulayan ang Pulse Drain Current, VGS(NP)=10V	48	-48	A
EAS c	Avalanche Energy, Single pulse , L=0.5mH	20	20	mJ
IAS c	Avalanche Current, Single pulse , L=0.5mH	9	-9	A
PD	Kinatibuk-ang Pagkawala sa Gahum, Ta=25 ℃	5.25	5.25	W
TSTG	Sakup sa Temperatura sa Pagtipig	-55 ngadto sa 175	-55 ngadto sa 175	℃
TJ	Sakup sa Temperatura sa Operating Junction	175	175	℃
RqJA b	Thermal Resistance-Junction ngadto sa Ambient, Steady State	60	60	℃/W
RqJC	Thermal Resistance-Junction to Case, Stabil nga Estado	6.25	6.25	℃/W

Simbolo	Parameter	Mga kahimtang	Min.	Typ.	Max.	Yunit
BVDSS	Drain-Source Breakdown Voltage	VGS=0V , ID=250uA	30	---	---	V
RDS(ON)d	Static Drain-Source On-Resistance	VGS=10V , ID=8A	---	14	18.5	mΩ
RDS(ON)d	Static Drain-Source On-Resistance	VGS=4.5V , ID=5A	---	17	25	mΩ
VGS(th)	Gate Threshold Boltahe	VGS=VDS , ID =250uA	1.3	1.8	2.3	V
IDSS	Drain-Source Leakage Current	VDS=20V , VGS=0V , TJ=25 ℃	---	---	1	uA
IDSS	Drain-Source Leakage Current	VDS=20V , VGS=0V , TJ=85 ℃	---	---	30	uA
IGSS	Gate-Source Leakage Current	VGS=±20V , VDS=0V	---	---	±100	nA
Rg	Pagsukol sa Ganghaan	VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz	---	1.7	3.4	Ω
Qge	Kinatibuk-ang Bayad sa Gate	VDS=15V, VGS=4.5V, IDS=8A	---	5.2	---	nC
Qgse	Bayad sa Gate-Source		---	1.0	---
Qgde	Gate-Drain Charge		---	2.8	---
Td(on)e	I-on ang Oras sa Paglangan	VDD=15V,RL=15R, IDS=1A,VGEN=10V, RG=6R.	---	6	---	ns
Tre	Panahon sa Pagbangon		---	8.6	---
Td(wala)e	I-off ang Oras sa Paglangan		---	16	---
Si Tfe	Panahon sa Pagkapukan		---	3.6	---
Cisse	Kapasidad sa Input	VDS=15V , VGS=0V , f=1MHz	---	545	---	pF
Cosse	Kapasidad sa Output		---	95	---
Crsse	Reverse Transfer Capacitance		---	55	---