WSD30160DN56 N-channel 30V 120A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
Overview sa produkto sa WINSOK MOSFET
Ang boltahe sa WSD30160DN56 MOSFET mao ang 30V, ang kasamtangan mao ang 120A, ang resistensya mao ang 1.9mΩ, ang channel mao ang N-channel, ug ang package mao ang DFN5X6-8.
Mga lugar nga aplikasyon sa WINSOK MOSFET
E-cigarettes MOSFET, wireless charging MOSFET, drone MOSFET, medical care MOSFET, car charger MOSFET, controllers MOSFET, digital nga mga produkto MOSFET, gagmay nga mga gamit sa panimalay MOSFET, consumer electronics MOSFET.
Ang WINSOK MOSFET katumbas sa ubang mga numero sa materyal nga brand
AOS MOSFET AON6382,AON6384,AON644A,AON6548.
Onsemi,FAIRCHILD MOSFET NTMFS4834N,NTMFS4C5N.
TOSHIBA MOSFET TPH2R93PL.
PANJIT MOSFET PJQ5426.
NIKO-SEM MOSFET PKE1BB.
POTENS Semiconductor MOSFET PDC392X.
Mga parameter sa MOSFET
| Simbolo | Parameter | Rating | Mga yunit |
| VDS | Drain-Source Boltahe | 30 | V |
| VGS | Ganghaan-Sourug Boltahe | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Padayon nga Pag-agas sa Agos, VGS@ 10V1,7 | 120 | A |
| ID@TC=100℃ | Padayon nga Pag-agas sa Agos, VGS@ 10V1,7 | 68 | A |
| IDM | Pulsed Drain Current2 | 300 | A |
| EAS | Usa ka Pulse Avalanche Energy3 | 128 | mJ |
| IAS | Avalanche Current | 50 | A |
| PD@TC=25℃ | Kinatibuk-ang Pagkawala sa Gahum4 | 62.5 | W |
| TSTG | Sakup sa Temperatura sa Pagtipig | -55 ngadto sa 150 | ℃ |
| TJ | Sakup sa Temperatura sa Operating Junction | -55 ngadto sa 150 | ℃ |
| Simbolo | Parameter | Mga kahimtang | Min. | Typ. | Max. | Unit |
| BVDSS | Drain-Source Breakdown Voltage | VGS=0V, akoD=250uA | 30 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSSTemperatura Coefficient | Reperensya sa 25℃, akoD=1mA | --- | 0.02 | --- | V/℃ |
| RDS(ON) | Static Drain-Source On-Resistance2 | VGS=10V, akoD=20A | --- | 1.9 | 2.5 | mΩ |
| VGS=4.5V, ID=15A | --- | 2.9 | 3.5 | |||
| VGS(th) | Gate Threshold Boltahe | VGS=VDS, akoD=250uA | 1.2 | 1.7 | 2.5 | V |
| △VGS(th) | VGS(th)Temperatura Coefficient | --- | -6.1 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Drain-Source Leakage Current | VDS=24V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=24V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Gate-Source Leakage Current | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Pagpasa sa Transconductance | VDS=5V, akoD=10A | --- | 32 | --- | S |
| Rg | Pagsukol sa Ganghaan | VDS=0V, VGS=0V , f=1MHz | --- | 0.8 | 1.5 | Ω |
| Qg | Kinatibuk-ang Gate Charge (4.5V) | VDS=15V, VGS=4.5V, ID=20A | --- | 38 | --- | nC |
| Qgs | Gate-Source Charge | --- | 10 | --- | ||
| Qgd | Gate-Drain Charge | --- | 13 | --- | ||
| Td(on) | I-on ang Oras sa Paglangan | VDD=15V, VGEN=10V , RG=6Ω, akoD=1A, RL=15Ω. | --- | 25 | --- | ns |
| Tr | Panahon sa Pagbangon | --- | 23 | --- | ||
| Td(wala) | I-off ang Oras sa Paglangan | --- | 95 | --- | ||
| Tf | Panahon sa Pagkapukan | --- | 40 | --- | ||
| Cmao | Kapasidad sa Input | VDS=15V, VGS=0V , f=1MHz | --- | 4900 | --- | pF |
| Coss | Kapasidad sa Output | --- | 1180 | --- | ||
| Crss | Reverse Transfer Capacitance | --- | 530 | --- |
