WSD30140DN56 N-channel 30V 85A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

mubo nga paghulagway:

Numero sa Modelo:WSD30140DN56

BVDSS:30V

RDSON:1.7mΩ

ID:85A

Channel:N-channel

Pakete:DFN5*6-8

Ting-init sa Produkto:Ang boltahe sa WSD30140DN56 MOSFET mao ang 30V, ang kasamtangan mao ang 85A, ang resistensya mao ang 1.7mΩ, ang channel mao ang N-channel, ug ang package mao ang DFN5 * 6-8.

Aplikasyon:Mga elektronikong sigarilyo, wireless charger, drone, medikal nga pag-atiman, car charger, controller, digital nga mga produkto, gagmay nga appliances, consumer electronics, ug uban pa.

Ipadala ang email kanamo PDF

Detalye sa Produkto

Aplikasyon

Mga Tag sa Produkto

Kinatibuk-ang Deskripsyon

Ang WSD30140DN56 mao ang pinakataas nga performance trench N-channel MOSFET nga adunay taas kaayo nga cell density nga naghatag og maayo kaayo nga RDSON ug gate charge alang sa kadaghanan nga synchronous buck converter applications. Ang WSD30140DN56 nagsunod sa mga kinahanglanon sa RoHS ug berde nga produkto, 100% nga garantiya sa EAS, gi-aprubahan ang hingpit nga kasaligan sa pag-andar.

Mga bahin

Advanced nga high cell density Trench nga teknolohiya, ultra-low gate charge, maayo kaayo nga CdV/dt effect attenuation, 100% EAS nga garantiya, green nga mga device anaa

Mga aplikasyon

High-frequency point-of-load synchronization, buck converters, networked DC-DC power systems, electric tool applications, electronic cigarettes, wireless charging, drones, medical care, car charging, controllers, digital products, small appliances, consumer electronics

katugbang nga materyal nga numero

AO AON6312, AON6358, AON6360, AON6734, AON6792, AONS36314. SA NTMFS4847N. VISHAY SiRA62DP. ST STL86N3LLH6AG. INFINEON BSC050N03MSG. TI CSD17327Q5A, CSD17327Q5A, CSD17307Q5A. NXP PH2520U. TOSHIBA TPH4R803PL TPH3R203NL. ROHM RS1E281BN, RS1E280BN, RS1E280GN, RS1E301GN, RS1E321GN, RS1E350BN, RS1E350GN. PANJIT PJQ5410. AP AP3D5R0MT. NIKO PK610SA, PK510BA. POTENS PDC3803R

Importante nga mga parameter

Simbolo	Parameter	Rating	Mga yunit
VDS	Drain-Source Boltahe	30	V
VGS	Gate-Source Boltahe	±20	V
ID@TC=25℃	Padayon nga Pag-agos sa Current, VGS @ 10V1,7	85	A
ID@TC=70 ℃	Padayon nga Pag-agos sa Current, VGS @ 10V1,7	65	A
IDM	Pulsed Drain Current2	300	A
PD@TC=25℃	Kinatibuk-ang Pagkawala sa Gahum4	50	W
TSTG	Sakup sa Temperatura sa Pagtipig	-55 ngadto sa 150	℃
TJ	Sakup sa Temperatura sa Operating Junction	-55 ngadto sa 150	℃

Simbolo	Parameter	Mga kahimtang	Min.	Typ.	Max.	Unit
BVDSS	Drain-Source Breakdown Voltage	VGS=0V , ID=250uA	30	---	---	V
△BVDSS/△TJ	BVDSS Temperatura Coefficient	Reference sa 25 ℃, ID=1mA	---	0.02	---	V/℃
RDS(ON)	Static Drain-Source On-Resistance2	VGS=10V , ID=20A	---	1.7	2.4	mΩ
RDS(ON)	Static Drain-Source On-Resistance2	VGS=4.5V , ID=15A		2.5	3.3	mΩ
VGS(th)	Gate Threshold Boltahe	VGS=VDS , ID =250uA	1.2	1.7	2.5	V
	Drain-Source Leakage Current	VDS=24V , VGS=0V , TJ=25 ℃	---	---	1	uA
IDSS	Drain-Source Leakage Current	VDS=24V , VGS=0V , TJ=55 ℃	---	---	5	uA
IGSS	Gate-Source Leakage Current	VGS=±20V , VDS=0V	---	---	±100	nA
gfs	Pagpasa sa Transconductance	VDS=5V , ID=20A	---	90	---	S
Qg	Kinatibuk-ang Gate Charge (4.5V)	VDS=15V , VGS=4.5V , ID=20A	---	26	---	nC
Qgs	Gate-Source Charge		---	9.5	---
Qgd	Gate-Drain Charge		---	11.4	---
Td(on)	I-on ang Oras sa Paglangan	VDD=15V , VGEN=10V , RG=3Ω, RL=0.75Ω.	---	11	---	ns
Tr	Panahon sa Pagbangon		---	6	---
Td(wala)	I-off ang Oras sa Paglangan		---	38.5	---
Tf	Panahon sa Pagkapukan		---	10	---
Ciss	Kapasidad sa Input	VDS=15V , VGS=0V , f=1MHz	---	3000	---	pF
Coss	Kapasidad sa Output		---	1280	---
Crss	Reverse Transfer Capacitance		---	160	---