WSD25280DN56G N-channel 25V 280A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

mga produkto

WSD25280DN56G N-channel 25V 280A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

mubo nga paghulagway:

Numero sa Bahin:WSD25280DN56G

BVDSS:25V

ID:280A

RDSON:0.7mΩ 

Channel:N-channel

Pakete:DFN5X6-8


Detalye sa Produkto

Aplikasyon

Mga Tag sa Produkto

Overview sa produkto sa WINSOK MOSFET

Ang boltahe sa WSD25280DN56G MOSFET mao ang 25V, ang kasamtangan mao ang 280A, ang resistensya mao ang 0.7mΩ, ang channel mao ang N-channel, ug ang package mao ang DFN5X6-8.

Mga lugar nga aplikasyon sa WINSOK MOSFET

Taas nga Frequency Point-of-Load Synchronous,Buck Converter,Networking DC-DC Power System,Aplikasyon sa Power Tool,E-cigarettes MOSFET, wireless charging MOSFET, drone MOSFET, medical care MOSFET, car charger MOSFET, controllers MOSFET, digital nga mga produkto MOSFET, gagmay nga mga gamit sa panimalay MOSFET, consumer electronics MOSFET.

Ang WINSOK MOSFET katumbas sa ubang mga numero sa materyal nga brand

Nxperian MOSFET PSMN1R-4ULD.

POTENS Semiconductor MOSFET PDC262X.

Mga parameter sa MOSFET

Simbolo

Parameter

Rating

Mga yunit

VDS

Drain-Source Boltahe

25

V

VGS

Ganghaan-Sourug Boltahe

±20

V

ID@TC=25

Padayon nga Pag-agos sa Agos(Limitado ang Silicon1,7

280

A

ID@TC=70

Padayon nga Drain Current(Silicon Limited1,7

190

A

IDM

Pulsed Drain Current2

600

A

EAS

Usa ka Pulse Avalanche Energy3

1200

mJ

IAS

Avalanche Current

100

A

PD@TC=25

Kinatibuk-ang Pagkawala sa Gahum4

83

W

TSTG

Sakup sa Temperatura sa Pagtipig

-55 ngadto sa 150

TJ

Sakup sa Temperatura sa Operating Junction

-55 ngadto sa 150

 

Simbolo

Parameter

Mga kahimtang

Min.

Typ.

Max.

Unit

BVDSS

Drain-Source Breakdown Voltage VGS=0V, akoD=250uA

25

---

---

V

BVDSS/△TJ

BVDSSTemperatura Coefficient Reperensya sa 25, akoD=1mA

---

0.022

---

V/

RDS(ON)

Static Drain-Source On-Resistance2 VGS=10V, akoD=20A

---

0.7

0.9 mΩ
VGS=4.5V, ID=20A

---

1.4

1.9

VGS(th)

Gate Threshold Boltahe VGS=VDS, akoD=250uA

1.0

---

2.5

V

VGS(th)

VGS(th)Temperatura Coefficient

---

-6.1

---

mV/

IDSS

Drain-Source Leakage Current VDS=20V, VGS=0V, TJ=25

---

---

1

uA

VDS=20V, VGS=0V, TJ=55

---

---

5

IGSS

Gate-Source Leakage Current VGS=±20V, VDS=0V

---

---

±100

nA

gfs

Pagpasa sa Transconductance VDS=5V, akoD=10A

---

40

---

S

Rg

Pagsukol sa Ganghaan VDS=0V, VGS=0V , f=1MHz

---

3.8

1.5

Ω

Qg

Kinatibuk-ang Gate Charge (4.5V) VDS=15V, VGS=4.5V, ID=20A

---

72

---

nC

Qgs

Gate-Source Charge

---

18

---

Qgd

Gate-Drain Charge

---

24

---

Td(on)

I-on ang Oras sa Paglangan VDD=15V, VGEN=10V ,RG=1Ω, akoD=10A

---

33

---

ns

Tr

Panahon sa Pagbangon

---

55

---

Td(wala)

I-off ang Oras sa Paglangan

---

62

---

Tf

Panahon sa Pagkapukan

---

22

---

Cmao

Kapasidad sa Input VDS=15V, VGS=0V , f=1MHz

---

7752

---

pF

Coss

Kapasidad sa Output

---

1120

---

Crss

Reverse Transfer Capacitance

---

650

---

 

 


  • Kaniadto:
  • Sunod:

  • Isulat ang imong mensahe dinhi ug ipadala kini kanamo