WSD20L120DN56 P-channel -20V -120A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

mubo nga paghulagway:

Numero sa Modelo:WSD20L120DN56

BVDSS:-20V

RDSON:2.1mΩ

ID:-120A

Channel:P-channel

Pakete:DFN5*6-8

Ting-init sa Produkto:Ang MOSFET WSD20L120DN56 naglihok sa -20 volts ug nagkuha sa usa ka kasamtangan nga -120 amps. Kini adunay resistensya nga 2.1 milliohms, usa ka P-channel, ug moabut sa usa ka DFN5 * 6-8 nga pakete.

Aplikasyon:E-cigarettes, wireless chargers, motors, drones, medical equipment, car chargers, controllers, digital devices, small appliances, ug consumer electronics.

Ipadala ang Pangutana PDF

Detalye sa Produkto

Aplikasyon

Mga Tag sa Produkto

Kinatibuk-ang Deskripsyon

Ang WSD20L120DN56 usa ka top-performing P-Ch MOSFET nga adunay high-density cell structure, nga naghatag ug superb RDSON ug gate charge para sa kadaghanang synchronous buck converter gamit. Ang WSD20L120DN56 nagtagbo sa 100% nga mga kinahanglanon sa EAS alang sa RoHS ug mga produkto nga mahigalaon sa kalikopan, nga adunay hingpit nga pag-uyon sa kasaligan nga pag-andar.

Mga bahin

1, Advanced nga high cell density Trench nga teknolohiya
2,Super Ubos nga Gate Charge
3, Maayo kaayo nga CdV/dt nga epekto sa pagkunhod
4, 100% EAS Garantiya 5, Green Device Anaa

Mga aplikasyon

High Frequency Point-of-Load Synchronous Buck Converter para sa MB/NB/UMPC/VGA, Networking DC-DC Power System, Load Switch, E-cigarette, Wireless Charger, Motors, Drones, Medical, Car Charger, Controller, Digital Products, Mga Gagmay nga Appliances sa Balay, Consumer Electronics.

katugbang nga materyal nga numero

AOS AON6411,NIKO PK5A7BA

Importante nga mga parameter

Simbolo	Parameter	Rating		Mga yunit
Simbolo	Parameter	10s	Lig-on nga Estado	Mga yunit
VDS	Drain-Source Boltahe	-20		V
VGS	Gate-Source Boltahe	± 10		V
ID@TC=25℃	Padayon nga Pag-agas sa Agos, VGS @ -10V1	-120		A
ID@TC=100 ℃	Padayon nga Pag-agas sa Agos, VGS @ -10V1	-69.5		A
ID@TA=25℃	Padayon nga Pag-agas sa Agos, VGS @ -10V1	-25	-22	A
ID@TA=70 ℃	Padayon nga Pag-agas sa Agos, VGS @ -10V1	-24	-18	A
IDM	Pulsed Drain Current2	-340		A
EAS	Single Pulse Avalanche Energy3	300		mJ
IAS	Avalanche Current	-36		A
PD@TC=25℃	Kinatibuk-ang Pagkawala sa Gahum4	130		W
PD@TA=25℃	Kinatibuk-ang Pagkawala sa Gahum4	6.8	6.25	W
TSTG	Sakup sa Temperatura sa Pagtipig	-55 ngadto sa 150		℃
TJ	Sakup sa Temperatura sa Operating Junction	-55 ngadto sa 150		℃

Simbolo	Parameter	Mga kahimtang	Min.	Typ.	Max.	Unit
BVDSS	Drain-Source Breakdown Voltage	VGS=0V , ID=-250uA	-20	---	---	V
△BVDSS/△TJ	BVDSS Temperatura Coefficient	Reference sa 25 ℃, ID=-1mA	---	-0.0212	---	V/℃
RDS(ON)	Static Drain-Source On-Resistance2	VGS=-4.5V , ID=-20A	---	2.1	2.7	mΩ
RDS(ON)	Static Drain-Source On-Resistance2					mΩ
		VGS=-2.5V , ID=-20A	---	2.8	3.7
VGS(th)	Gate Threshold Boltahe	VGS=VDS , ID =-250uA	-0.4	-0.6	-1.0	V
		VGS=VDS , ID =-250uA
△VGS(ika)	VGS(th) Temperatura Coefficient		---	4.8	---	mV/℃
IDSS	Drain-Source Leakage Current	VDS=-20V , VGS=0V , TJ=25 ℃	---	---	-1	uA
IDSS	Drain-Source Leakage Current					uA
		VDS=-20V , VGS=0V , TJ=55 ℃	---	---	-6
IGSS	Gate-Source Leakage Current	VGS=±20V , VDS=0V	---	---	±100	nA
gfs	Pagpasa sa Transconductance	VDS=-5V , ID=-20A	---	100	---	S
Rg	Pagsukol sa Ganghaan	VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz	---	2	5	Ω
Qg	Kinatibuk-ang Gate Charge (-4.5V)	VDS=-10V , VGS=-4.5V , ID=-20A	---	100	---	nC
Ang Qgs	Gate-Source Charge		---	21	---
Qgd	Gate-Drain Charge		---	32	---
Td(on)	I-on ang Oras sa Paglangan	VDD=-10V , VGEN=-4.5V , RG=3Ω ID=-1A ,RL=0.5Ω	---	20	---	ns
Tr	Panahon sa Pagbangon		---	50	---
Td(wala)	I-off ang Oras sa Paglangan		---	100	---
Tf	Panahon sa Pagkapukan		---	40	---
Ciss	Kapasidad sa Input	VDS=-10V , VGS=0V , f=1MHz	---	4950	---	pF
Coss	Kapasidad sa Output		---	380	---
Crss	Reverse Transfer Capacitance		---	290	---