WSD100N06GDN56 N-channel 60V 100A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
Overview sa produkto sa WINSOK MOSFET
Ang boltahe sa WSD100N06GDN56 MOSFET mao ang 60V, ang kasamtangan mao ang 100A, ang resistensya mao ang 3mΩ, ang channel mao ang N-channel, ug ang package mao ang DFN5X6-8.
Mga lugar nga aplikasyon sa WINSOK MOSFET
Medical power supply MOSFET, PDs MOSFET, drone MOSFET, electronic cigarettes MOSFET, major appliances MOSFET, ug power tools MOSFET.
Ang WINSOK MOSFET katumbas sa ubang mga numero sa materyal nga brand
AOS MOSFET AON6264C,AON6264E,AON6266E,AONS6662.STMicroelectronics MOSFET STL13N6F7,STL14N6F7.PANJIT MOSFET PSMQC33N6NS1.POTENS Semiconductor MOSFET PDC692X.
Mga parameter sa MOSFET
| Simbolo | Parameter | Rating | Mga yunit | ||
| VDS | Drain-Source Boltahe | 60 | V | ||
| VGS | Gate-Source Boltahe | ±20 | V | ||
| ID1,6 | Padayon nga Pag-agos sa Agos | TC=25°C | 100 | A | |
| TC=100°C | 65 | ||||
| IDM2 | Pulsed Drain Current | TC=25°C | 240 | A | |
| PD | Pinakataas nga Pagkawala sa Gahum | TC=25°C | 83 | W | |
| TC=100°C | 50 | ||||
| IAS | Avalanche Current, Usa ka pulso | 45 | A | ||
| EAS3 | Usa ka Pulse Avalanche Energy | 101 | mJ | ||
| TJ | Kinatas-ang Temperatura sa Junction | 150 | ℃ | ||
| TSTG | Sakup sa Temperatura sa Pagtipig | -55 ngadto sa 150 | ℃ | ||
| RθJA1 | Thermal Resistance Junction ngadto sa ambient | Lig-on nga Estado | 55 | ℃/W | |
| RθJC1 | Thermal Resistance-Junction sa Kaso | Lig-on nga Estado | 1.5 | ℃/W | |
| Simbolo | Parameter | Mga kahimtang | Min. | Typ. | Max. | Unit | |
| Static | |||||||
| V(BR)DSS | Drain-Source Breakdown Voltage | VGS = 0V, ID = 250μA | 60 | V | |||
| IDSS | Zero Gate Voltage Drain Current | VDS = 48 V, VGS = 0V | 1 | µA | |||
| TJ=85°C | 30 | ||||||
| IGSS | Gate Leakage Current | VGS = ±20V, VDS = 0V | ±100 | nA | |||
| Sa mga Kinaiya | |||||||
| VGS(TH) | Gate Threshold Boltahe | VGS = VDS, IDS = 250µA | 1.2 | 1.8 | 2.5 | V | |
| RDS(on)2 | Drain-Source On-State Resistance | VGS = 10V, ID = 20A | 3.0 | 3.6 | mΩ | ||
| VGS = 4.5V, ID = 15A | 4.4 | 5.4 | mΩ | ||||
| Pagbalhin | |||||||
| Qg | Kinatibuk-ang Bayad sa Gate | VDS=30V VGS=10V ID=20A | 58 | nC | |||
| Qgs | Gate-Sour Charge | 16 | nC | ||||
| Qgd | Gate-Drain Charge | 4.0 | nC | ||||
| td (sa) | I-on ang Oras sa Paglangan | VGEN=10V VDD=30V ID=20A RG=Ω | 18 | ns | |||
| tr | I-on ang Oras sa Pagtaas | 8 | ns | ||||
| td(off) | I-off ang Oras sa Paglangan | 50 | ns | ||||
| tf | I-off ang Panahon sa Pagkapukan | 11 | ns | ||||
| Rg | Pagbatok sa gat | VGS=0V, VDS=0V, f=1MHz | 0.7 | Ω | |||
| Dinamiko | |||||||
| Ciss | Sa Kapasidad | VGS=0V VDS=30V f=1MHz | 3458 | pF | |||
| Coss | Gawas nga Kapasidad | 1522 | pF | ||||
| Crss | Reverse Transfer Capacitance | 22 | pF | ||||
| Mga Kinaiya sa Drain-Source Diode ug Maximum Ratings | |||||||
| IS1,5 | Padayon nga Source Current | VG=VD=0V , Force Current | 55 | A | |||
| ISM | Pulsed Source Current3 | 240 | A | ||||
| VSD2 | Diode Forward Voltage | ISD = 1A , VGS=0V | 0.8 | 1.3 | V | ||
| trr | Balikbalik nga Panahon sa Pagbawi | ISD=20A, dlSD/dt=100A/µs | 27 | ns | |||
| Qrr | Balikbalik nga Bayad sa Pagbawi | 33 | nC | ||||
