Giunsa pagpili ang MOSFET?

Adunay duha ka matang sa MOSFET, N-channel ug P-channel. Sa mga sistema sa kuryente,Mga MOSFETmahimong isipon nga electrical switch. Ang switch sa usa ka N-channel MOSFET nagpahigayon kung ang usa ka positibo nga boltahe idugang taliwala sa ganghaan ug sa gigikanan. Samtang nagpahigayon, ang kasamtangan mahimong moagos pinaagi sa switch gikan sa drain ngadto sa tinubdan. Adunay usa ka internal nga pagsukol tali sa kanal ug sa tinubdan nga gitawag nga on-resistance RDS(ON).

 

MOSFET ingon usa ka sukaranan nga sangkap sa sistema sa elektrisidad, gisultihan ka ni Guanhua Weiye kung giunsa paghimo ang husto nga pagpili sumala sa mga parameter?

I. Pagpili sa Channel

Ang una nga lakang sa pagpili sa husto nga aparato alang sa imong disenyo mao ang pagtino kung mogamit usa ka N-channel o P-channel MOSFET. sa mga aplikasyon sa kuryente, ang usa ka MOSFET gi-ground ug ang load konektado sa boltahe sa punoan sa dihang ang MOSFET nagporma og ubos nga boltahe nga switch sa kilid. Ang N-channel MOSFETs kinahanglan gamiton sa ubos nga boltahe nga side switching tungod sa pagkonsiderar sa boltahe nga gikinahanglan aron mapatay o ma-on ang device. Ang high boltahe nga side switching kinahanglan gamiton kung ang MOSFET konektado sa bus ug load ground connection.

 

II. Pagpili sa Boltahe ug Current

Kon mas taas ang rated nga boltahe, mas taas ang gasto sa device. Sumala sa praktikal nga kasinatian, ang gimarkahan nga boltahe kinahanglan nga labi ka dako sa boltahe sa punoan o boltahe sa bus. Niana lamang nga makahatag kini igong proteksyon batok sa kapakyasan sa MOSFET. Kung nagpili usa ka MOSFET, ang labing taas nga boltahe gikan sa kanal hangtod sa gigikanan kinahanglan nga matino.

Sa padayon nga conduction mode, angMOSFETnaa sa makanunayon nga kahimtang, kung padayon nga moagi ang dagan sa aparato. Ang mga pulso spike mao ang kung adunay mga dagkong surge (o peak nga mga sulog) nga nag-agos sa aparato. Sa higayon nga ang pinakataas nga sulog matino ubos niini nga mga kondisyon, pilia lang ang himan nga makasugakod sa pinakataas nga sulog.

 

Ikatulo, pagkawala sa conduction

Tungod kay ang on-resistance magkalainlain sa temperatura, ang pagkawala sa kuryente magkalainlain sa proporsyonal. Alang sa madaladala nga disenyo, ang paggamit sa ubos nga boltahe mas komon, samtang alang sa industriyal nga disenyo, ang mas taas nga boltahe mahimong magamit.

 

Mga Kinahanglanon sa Thermal sa Sistema

Mahitungod sa mga kinahanglanon sa pagpabugnaw sa sistema, ang Crown Worldwide nagpahinumdom kanimo nga adunay duha ka lainlaing mga senaryo nga kinahanglan tagdon, ang labing grabe nga kaso ug ang tinuud nga kahimtang. Gamita ang worst-case nga kalkulasyon tungod kay kini nga resulta naghatag og mas dako nga margin sa kaluwasan ug makagarantiya nga ang sistema dili mapakyas.

AngMOSFETanam-anam nga giilisdan ang triode sa mga integrated circuit tungod sa ubos nga konsumo sa kuryente, stable nga performance, ug radiation resistance. Apan kini delikado gihapon kaayo, ug bisan kung kadaghanan kanila adunay mga built-in nga proteksyon nga mga diode, kini mahimong madaot kung wala’y pag-atiman. Busa, labing maayo nga kinahanglan nga mag-amping usab sa aplikasyon.